PEVCD(等离子增强化学气相沉积)最重要的应用之一是沉积微电子器件用绝缘薄膜，在低温下沉积氮化硅、氧化硅或硅的氮氧化物一类的绝缘薄膜，这对于超大规模集成芯片的生产是至关重要的。PECVD的一个重要优点是能在比热CVD更低的温度下沉积。PECVD技术在250～400度的温度范围内使氮化硅薄膜的沉积成为可能。PECVD沉积SiO2绝缘层被广泛地应用于半导体器件工艺，最近在光学纤维的涂层和某些装饰性涂层方面获得了应用。近年来，PECVD在摩擦磨损、腐蚀防护和切削工具涂层应用方面获得了很大进展。
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PECVD设备可制备的薄膜
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PECVD沉积设备参数
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